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FQD13N10TM-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应管，适用于多种应用场景，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、家用电器控制、工业自动化控制等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；15A；RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FQD13N10TM-VB商品编号
C7463551商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.371克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 114mΩ@10V,3A | |
| 功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 950pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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