NCE6075K-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单通道N型场效应晶体管,采用Trench工艺,具有较低的导通电阻和较高的性能,适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用,为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252;N—Channel沟道,60V;58A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE6075K-VB
- 商品编号
- C7463419
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3695克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.65nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF@25V |
商品概述
- 低 RDS(on)
- 符合 RoHS 标准且无卤
商品特性
- 结温175 °C
- 沟道型功率MOSFET
应用领域
- 负载开关-脉冲宽度调制(PWM)
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