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IRF7862TRPBF-VB

1个N沟道耐压:30V 电流:18A

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描述: 台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种电子电路模块的设计和应用。例如电源管理模块、电机驱动模块、LED照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；18A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
商品型号: IRF7862TRPBF-VB
商品编号: C7463436
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0055克(g)

商品参数

N沟道：
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 30 A
- 当栅源电压VGS=10V时，导通电阻RDS(ON) = 9.5 mΩ（典型值）
P沟道：
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -20A
- 当栅源电压VGS = -10 V时，导通电阻RDS(ON) = 21 mΩ（典型值）
100%进行了非钳位感性负载开关（UIS）测试
100%进行了栅极电阻（Rg）测试
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