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IPD068N10N3G-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
描述
台积电流片，长电科技封装；单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于需要中功率转换和可靠功率控制的领域。TO252；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPD068N10N3G-VB商品编号
C7463438商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.3815克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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