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IPD068N10N3G-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于需要中功率转换和可靠功率控制的领域。TO252；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPD068N10N3G-VB
- 商品编号
- C7463438
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3815克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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