FDC638APZ-VB
1个P沟道 耐压:30V
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款单P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6;P—Channel沟道,-30V;-4.8A;RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDC638APZ-VB
- 商品编号
- C7463460
- 商品封装
- SOT23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽场效应功率MOSFET
- 175 °C结温
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐
