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FDC638APZ-VB实物图
  • FDC638APZ-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDC638APZ-VB

1个P沟道 耐压:30V

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6;P—Channel沟道,-30V;-4.8A;RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;
商品型号
FDC638APZ-VB
商品编号
C7463460
商品封装
SOT23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.049167克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))-
属性参数值
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))500mV
输入电容(Ciss)450pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 沟槽场效应功率MOSFET
  • 175 °C结温
  • 低热阻封装
  • 100%进行栅极电阻(Rg)测试

应用领域

  • 隔离式DC/DC转换器

数据手册PDF