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2N7002DW-VB
2个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于广泛的电子设备和系统中。SC70-6，2个N—Channel沟道,60V；0.35A；RDS(ON)=1800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2N7002DW-VB
- 商品编号
- C7463463
- 商品封装
- SC70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V；3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
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