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BVSS123LT1G-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA
描述
台积电流片，长电科技封装；这是一款单个N型MOSFET，适用于低功率应用场合。其主要特点包括适中的电压和电流承受能力，以及较高的阈值电压和导通电阻。可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中，特别适合于小型和便携式设备。SOT23；N—Channel沟道,100V；0.26A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
BVSS123LT1G-VB商品编号
C7463476商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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