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IPD50P03P4L-11-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:60A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench工艺制造，适用于各种电源管理应用场景。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPD50P03P4L-11-VB商品编号
C7463483商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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