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FDC6310P-VB
2个P沟道 耐压:20V 电流:4A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双通道P型MOSFET，采用Trench工艺，具有良好的性能稳定性和可靠性，适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块，如电源管理、电动车控制和工业自动化等领域。SOT23-6；2个P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDC6310P-VB
- 商品编号
- C7463501
- 商品封装
- SOT23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.14W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
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