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STD5NM50T4-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型功率场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的热稳定性和可靠性。适用于高压应用场景，中等功率需求。TO252；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STD5NM50T4-VB商品编号
C7463514商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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