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FQT7N10LTF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FQT7N10LTF-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:5A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道型器件，采用Trench工艺制造，适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。SOT223；N—Channel沟道,100V；5A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FQT7N10LTF-VB
商品编号
C7463524
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.152克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)27nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)5.3pF@10V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

数据手册PDF

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