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BSZ097N04LS G-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:409A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于高性能功率控制和开关应用。QFN8(3X3)；N—Channel沟道,40V；40A；RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.1~2.2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSZ097N04LS G-VB
- 商品编号
- C7463531
- 商品封装
- QFN8(3X3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 409A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
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