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IPD100N04S4-02-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于中等功率控制和驱动应用，包括电机驱动模块、电源转换模块、电动工具控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；120A；RDS(ON)=1.6mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPD100N04S4-02-VB
- 商品编号
- C7463532
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.366克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V；2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
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