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STD36P4LLF6-VB
1个P沟道 耐压:60V
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源开关模块、汽车电子模块、通信设备模块等领域。TO252；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STD36P4LLF6-VB商品编号
C7463546商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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