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FQPF6N80C-VB
1个N沟道 耐压:850V 电流:3.9A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道功率MOSFET，采用了Plannar技术，适用于高压高功率的应用，并具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承受能力。TO220F；N—Channel沟道,850V；5.5A；RDS(ON)=2400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQPF6N80C-VB
- 商品编号
- C7463498
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 816pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
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