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STD4NK80ZT4-VB
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种电子应用领域。TO252；N—Channel沟道,800V；2.8A；RDS(ON)=2380mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STD4NK80ZT4-VB
- 商品编号
- C7463479
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.38Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 直流-直流转换 - 低端开关
- 笔记本电脑
- 游戏