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IRF7853TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:8.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFE，采用Trench技术，适用于低功耗电源模块、电动汽车控制、工业控制等领域。SOP8；N—Channel沟道,100V；10.4A；RDS(ON)=20mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF7853TRPBF-VB
- 商品编号
- C7463450
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V；27mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.735nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个4000个/圆盘
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