我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
IPB083N10N3G-VB实物图
  • IPB083N10N3G-VB商品缩略图
  • IPB083N10N3G-VB商品缩略图
  • IPB083N10N3G-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IPB083N10N3G-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:85A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，采用Trench工艺制造，具有较高的漏极电流能力和低导通电阻，适合用于电源逆变器中的开关电路等领域。TO263；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPB083N10N3G-VB
商品编号
C7463437
商品封装
TO-263(D2PAK)​
包装方式
管装
商品毛重
2.228克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)85A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V；23mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3.75W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)160nC@10V
输入电容(Ciss)6.55nF@25V
反向传输电容(Crss)265pF@25V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)665pF

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

  • 9.5折

    购买数量

    (50个/管，最小起订量 1 个)
    个
    起订量：1 个50个/管

    总价金额：

    ￥ 0.00

    近期成交3单