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IRF9Z34NPBF-VB
1个P沟道 耐压:60V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、工业自动化模块、通信设备模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-40A；RDS(ON)=62mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF9Z34NPBF-VB
- 商品编号
- C7463433
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.742克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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