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IRF7410TRPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRF7410TRPBF-VB

1个P沟道 耐压:12V 电流:10A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于需要高效能、稳定性和可靠性的电源管理、开关控制和功率放大等应用。SOP8；P—Channel沟道,-12V；-16A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.5~1V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF7410TRPBF-VB
商品编号
C7463432
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.122克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))5mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th))1V@600uA
栅极电荷量(Qg)110nC@5V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

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