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AM70P03-07D-T1-PF-VB实物图
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AM70P03-07D-T1-PF-VB

1个P沟道 耐压:30V 电流:58A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AM70P03-07D-T1-PF-VB
商品编号
C7463421
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.389克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)58A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
耗散功率(Pd)78W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)240nC@10V
输入电容(Ciss)4nF@15V
反向传输电容(Crss)715pF@15V
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)1.565nF

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