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NCE20ND07U
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- NCE20ND07U采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件具备静电放电（ESD）保护功能。凭借其共漏极配置，此器件适用于作为单向或双向负载开关
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE20ND07U
- 商品编号
- C7462059
- 商品封装
- DFN2x3-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 811.1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CR13N50F A9K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V,漏极电流ID = 7A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 16mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 20mΩ
- 当栅源电压VGS = 1.8V时,导通电阻RDS(ON) < 35mΩ
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 对雪崩电压和电流进行了全面特性表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装,散热性能良好
- ESD等级:人体模型(HBM)2000V
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源