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NCE20P10J

NCE20P10J

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商品型号
NCE20P10J
商品编号
C7462060
商品封装
DFN2x2-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)10A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V,5A
耗散功率(Pd)3.5W
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

Power MOS 8TM是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。专有的平面条纹设计可实现出色的可靠性和可制造性。低输入电容和超低Crss“米勒”电容可实现低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制转换速率,从而实现低电磁干扰(EMI)和可靠的并联,即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。高雪崩能量能力增强了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。

商品特性

  • 快速开关,低电磁干扰/射频干扰(EMI/RFI)
  • 低导通电阻(RDS(on))
  • 超低Crss,提高抗噪能力
  • 低栅极电荷
  • 雪崩能量额定
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)及其他升压转换器
  • 降压转换器
  • 双开关正激(不对称桥)
  • 单开关正激
  • 反激式转换器
  • 逆变器

数据手册PDF