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NCE20P10J
NCE20P10J
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE20P10J
- 商品编号
- C7462060
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE20P10J采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在不同栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用及其他多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V,漏极电流ID = -10A
- 当栅源电压VGS = -2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 32mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 25mΩ
- 先进的沟槽MOSFET工艺技术
- 超低导通电阻与低栅极电荷
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 手机电池充电