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NCE20P10J
NCE20P10J
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE20P10J
- 商品编号
- C7462060
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
Power MOS 8TM是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。专有的平面条纹设计可实现出色的可靠性和可制造性。低输入电容和超低Crss“米勒”电容可实现低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制转换速率，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。高雪崩能量能力增强了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V,漏极电流ID = -10A
- 当栅源电压VGS = -2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 32mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 25mΩ
- 先进的沟槽MOSFET工艺技术
- 超低导通电阻与低栅极电荷
应用领域
- 脉宽调制(PWM)应用
- 负载开关
- 手机电池充电