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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP025N60G

1个N沟道 耐压:60V 电流:165A

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描述
使用超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品型号
NCEP025N60G
商品编号
C7462066
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)165A
导通电阻(RDS(on))2.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)145W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)75.5nC@30V
输入电容(Ciss)4.85nF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCEP025N60G采用超级沟槽II技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻(R_DS(ON))和栅极电荷(Q_g)极低,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 165A
  • RDS(ON) = 2.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度 150°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行了非钳位感性负载(UIS)测试!
  • 100%进行了ΔVds测试!

应用领域

-DC/DC转换器-适用于高频开关和同步整流

数据手册PDF