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NCEP40T20A
1个N沟道 耐压:40V 电流:200A
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- 描述
- NCEP40T20A采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻Rds(on)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP40T20A
- 商品编号
- C7462067
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7163克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 270W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.8346nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCEP40T20A采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，从而将传导和开关功率损耗降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V，漏极电流（ID） = 200A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 1.3mΩ（典型值）
- 出色的栅极电荷×漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行了非钳位感性开关（UIS）测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流
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