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NCE60P04SN
1个P沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P04SN
- 商品编号
- C7462063
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
PTAC210802FC是一款80瓦的LDMOS场效应晶体管，采用非对称设计，适用于1805至2170 MHz频段的多标准蜂窝功率放大器应用。其特性包括双路径设计、输入匹配、高增益以及带无耳法兰的热增强型封装。该器件采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造，具备出色的热性能和卓越的可靠性。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V,漏极电流ID = -4A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 120 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 170 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
-负载开关-PWM应用