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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE60P04SN

1个P沟道 耐压:60V 电流:4A

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描述
采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。适用于负载开关或PWM应用。
商品型号
NCE60P04SN
商品编号
C7462063
商品封装
SOT-23-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.025克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V,4A
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)25nC
输入电容(Ciss)930pF@30V
反向传输电容(Crss)35pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

PTAC210802FC是一款80瓦的LDMOS场效应晶体管,采用非对称设计,适用于1805至2170 MHz频段的多标准蜂窝功率放大器应用。其特性包括双路径设计、输入匹配、高增益以及带无耳法兰的热增强型封装。该器件采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造,具备出色的热性能和卓越的可靠性。

商品特性

  • 非对称设计
  • 主路:P1dB = 典型19 W
  • 峰值:P1dB = 典型60 W
  • 宽带内部匹配
  • 宽视频带宽
  • P3dB时输出功率 = 75 W
  • 效率 = 48%
  • P3dB时增益 = 14 dB
  • P1dB时输出功率 = 45 W
  • P3dB时输出功率 = 80 W
  • 效率 = 48%
  • P3dB时增益 = 14 dB
  • 在28 V、80 W(连续波)输出功率下可承受10:1的电压驻波比
  • 集成静电放电保护:人体模型,1B级(符合JESD22 - A114)
  • 无铅且符合RoHS标准

数据手册PDF