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NCE60NF031T

N沟道超结功率MOSFET

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描述
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,可提供超低的RDS(ON)和低栅极电荷,并具备快速恢复体二极管。这款超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换、工业电源应用、快速充电器、新能源汽车充电桩、车载OBC等AC-DC开关电源(SMPS)的要求。
商品型号
NCE60NF031T
商品编号
C7462062
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.880077克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)73A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@10V,37A
耗散功率(Pd)490W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)135nC@10V
输入电容(Ciss)8nF@50V
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF