温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE60P05N
NCE60P05N
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P05N
- 商品编号
- C7462064
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.153nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专门设计用于实现高效率、高增益和宽带宽，这使得CGHV14250非常适合直流 - 1.6 GHz L波段雷达放大器应用。该晶体管可用于0.9至1.8 GHz的特定频段应用。封装选项包括陶瓷/金属法兰和药丸封装。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V,漏极电流ID = -5A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 65 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 85 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
相似推荐
其他推荐