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NCE60P05N
NCE60P05N
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P05N
- 商品编号
- C7462064
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.153nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专门设计用于实现高效率、高增益和宽带宽，这使得CGHV14250非常适合直流 - 1.6 GHz L波段雷达放大器应用。该晶体管可用于0.9至1.8 GHz的特定频段应用。封装选项包括陶瓷/金属法兰和药丸封装。
商品特性
- 参考设计放大器在1.2 - 1.4 GHz频率下工作
- FET调谐范围从超高频到1800 MHz
- 典型输出功率330 W
- 功率增益18 dB
- 典型漏极效率77%
- 脉冲幅度下降 < 0.3 dB
- 输入内部预匹配，输出不匹配
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