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GC3M0065090D

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管

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描述
特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 EV电池充电器
商品型号
GC3M0065090D
商品编号
C7435034
商品封装
TO247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.476667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)900V
连续漏极电流(Id)36A
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.1V
栅极电荷量(Qg)71nC
输入电容(Ciss)760pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)66pF
导通电阻(RDS(on))65mΩ@15V

商品特性

  • 高阻断电压与低导通电阻
  • 低电容下的高速开关
  • 低反向恢复电荷的快速本征二极管
  • 无卤素,符合RoHS标准

应用领域

  • 可再生能源
  • 电动汽车充电器
  • 高压DC/DC转换器
  • 开关电源

数据手册PDF