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GC2M0045170D

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管

描述
特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 抗闭锁。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关电源
商品型号
GC2M0045170D
商品编号
C7435058
商品封装
TO247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.516667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)1.7kV
连续漏极电流(Id)72A
耗散功率(Pd)520W
阈值电压(Vgs(th))2.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)188nC
输入电容(Ciss)3.672nF
反向传输电容(Crss)6.7pF
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)176pF
导通电阻(RDS(on))45mΩ@20V

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