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GC3M0120100K
SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
- 描述
- 特性：优化封装，带有独立的驱动源引脚。 高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复电荷（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 电动汽车电池充电器
- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- GC3M0120100K
- 商品编号
- C7435038
- 商品封装
- TO247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.966667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 414pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 48pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@15V |
商品特性
- 采用优化封装，具备独立的驱动源引脚
- 具备高阻断电压与低导通电阻
- 具备高速开关能力，且电容值低
- 具备快速本征二极管，反向恢复电荷低
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 可再生能源
- 电动汽车充电器
- 高压DC/DC转换器
- 开关模式电源