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GC3M0075120K
GC3M0075120K
描述
SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
- 品牌名称SUPSiC(国晶微半导体)
商品型号
GC3M0075120K商品编号
C7435055商品封装
TO247-4包装方式
管装
商品毛重
8.946667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 封装类型 | 单管 | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| Vds-漏源击穿电压 | 1200V | |
| Id-漏极电流(25℃) | 32A | |
| Pd-功耗 | 136W | |
| Vgs(th)-漏源阈值电压 | 2.5V | |
| RDS(on)-导通电阻(20V) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| RDS(on)-导通电阻(18V) | - | |
| RDS(on)-导通电阻(15V) | 75mΩ | |
| RDS(on)-导通电阻(10V) | - | |
| Qg-栅极电荷 | 53nC | |
| Ciss-输入电容 | 1390pF | |
| Crss-反向传输电容 | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| Coss-输出电容 | 58pF |
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