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GC2M1000170D
SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
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- 描述
- 特性：高速开关，低电容。 高阻断电压，低导通电阻。 易于并联，驱动简单。 超低漏极-栅极电容。 无卤，符合RoHS标准。应用：辅助电源。 开关电源
- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- GC2M1000170D
- 商品编号
- C7435057
- 商品封装
- TO247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@20V |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
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