GC2M0280120D
GC2M0280120D
描述
SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
- 品牌名称SUPSiC(国晶微半导体)
商品型号
GC2M0280120D商品编号
C7435049商品封装
TO247-3包装方式
管装
商品毛重
8.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 封装类型 | 单管 | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| Vds-漏源击穿电压 | 1200V | |
| Id-漏极电流(25℃) | 11A | |
| Pd-功耗 | 69.4W | |
| Vgs(th)-漏源阈值电压 | 3.1V | |
| RDS(on)-导通电阻(20V) | 320mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| RDS(on)-导通电阻(18V) | - | |
| RDS(on)-导通电阻(15V) | - | |
| RDS(on)-导通电阻(10V) | - | |
| Qg-栅极电荷 | 19nC | |
| Ciss-输入电容 | 267pF | |
| Crss-反向传输电容 | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| Coss-输出电容 | 31pF |
梯度价格
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原价
折合1管
1+￥29.2904￥31.16
10+￥25.6714￥27.31
30+￥23.4718￥24.97￥749.1
90+￥21.62￥23￥690
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