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GC2M0280120D

SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管

描述
特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 抗闩锁。 无卤,符合RoHS标准。应用:LED照明电源。 高压DC/DC转换器
商品型号
GC2M0280120D
商品编号
C7435049
商品封装
TO247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.48克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)11A
耗散功率(Pd)69.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.1V
栅极电荷量(Qg)19nC
输入电容(Ciss)267pF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)31pF
导通电阻(RDS(on))320mΩ@20V

商品特性

  • 高阻断电压与低导通电阻
  • 低电容下的高速开关
  • 易于并联且驱动简单
  • 雪崩耐量
  • 抗闩锁
  • 无卤素,符合RoHS标准

应用领域

  • LED照明电源
  • 高压DC/DC转换器
  • 工业电源
  • 暖通空调系统

数据手册PDF