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GC3M0030090K
1个N沟道 耐压:900V 电流:63A
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- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 商品型号
- GC3M0030090K
- 商品编号
- C7435033
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 149W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.503nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 144pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |