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TS0321VBX

ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：25A@8/20us

描述: TS0321VB X是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列，旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护。TS0321VBX典型电容仅为1.5 pF，旨在保护对寄生敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 -4-2（ESD）4级（±15 kV空气放电、±8 kV接触放电）、IEC 61000-4-4（电气快速瞬变 - EFT）（40A、5/50 ns）、IEC 61000-4-5（浪涌）（25 A、8/20 μs）、超快充电器件模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等标准。TS0321VB X采用DFN1006-2L封装。每个TS0321VB器件可保护一对高速线路。“直通式”设计可将走线电感降至最低，并减少与ESD事件相关的电压过冲。低电容和高ESD耐受性的综合特性使TS0321VBX非常适合用于手机和MP3播放器等便携式应用。TS0321VBX的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。
品牌名称: 晶扬电子
商品型号: TS0321VBX
商品编号: C7433987
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.01206克(g)

商品参数

商品概述

TS0321VB X是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列，旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护。TS0321VBX典型电容仅为1.5 pF，旨在保护对寄生敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 -4-2（ESD）4级（±15 kV空气放电、±8 kV接触放电）、IEC 61000-4-4（电气快速瞬变 - EFT）（40A、5/50 ns）、IEC 61000-4-5（浪涌）（25 A、8/20 μs）、超快充电器件模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等标准。 TS0321VB X采用DFN1006-2L封装。每个TS0321VB器件可保护一对高速线路。“直通式”设计可将走线电感降至最低，并减少与ESD事件相关的电压过冲。低电容和高ESD耐受性的综合特性使TS0321VBX非常适合用于手机和MP3播放器等便携式应用。TS0321VBX的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。

商品特性

为高速数据线提供瞬态保护：IEC 61000-4-2（ESD）±30 kV（空气放电）、±30 kV（接触放电）；IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50 ns）；IEC 61000-4-5（浪涌）25A（8/20 μs）
针对高速线路优化的封装
为一对线路提供保护
低电容：0V时为1.5 pF（典型值）
低漏电流：在VRWM下为0.01 μA（典型值）
低工作电压和钳位电压
每个I/O引脚可承受1000次以上±8 kV接触放电的ESD冲击

应用领域

便携式仪器
台式机、服务器和笔记本电脑
手机
MP3播放器
键盘、侧键

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	9V
	峰值脉冲电流(Ipp)	25A@8/20us
	击穿电压	7V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	10nA
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	1.5pF