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IXTA76P10T
1个P沟道 耐压:100V 电流:76A
- 描述
- 特性：国际标准封装。 雪崩额定。 扩展正向偏置安全工作区（FBSOA）。 快速本征二极管。 低导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）。 易于安装。应用：高端开关。 推挽放大器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTA76P10T
- 商品编号
- C7430186
- 商品封装
- TO-263AA-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,38A | |
| 耗散功率(Pd) | 298W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 197nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.7nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IRF640是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源