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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTP26P20P

P沟道增强型功率MOSFET

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描述
特性:国际标准封装。 快速本征二极管。 动态dV/dt额定。 雪崩额定。 坚固的PolarPTM工艺。 低栅极电荷QG和低导通电阻Rds(on)特性。应用:高端开关。 推挽放大器
品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXTP26P20P
商品编号
C7430187
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.788克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)26A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)56nC@10V
输入电容(Ciss)2.92nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)540pF

商品特性

  • 80V/120A
  • RDS(ON) = 6.4 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
  • 经过100%雪崩测试
  • 可靠耐用
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 开关应用-逆变器系统电源管理

数据手册PDF