温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXTP26P20P
P沟道增强型功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：国际标准封装。 快速本征二极管。 动态dV/dt额定。 雪崩额定。 坚固的PolarPTM工艺。 低栅极电荷QG和低导通电阻Rds(on)特性。应用：高端开关。 推挽放大器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTP26P20P
- 商品编号
- C7430187
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.788克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF |
商品特性
-国际标准封装-快速本征二极管-动态 dv/dt 额定值-雪崩额定值-Rugged PolarTM 工艺-低 QG 和 Rds(ON) 特性-低漏极到散热片电容-低封装电感-易于驱动和保护
应用领域
-高端开关-推挽放大器-直流斩波器-电流调节器-自动测试设备