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IXFR90N30
300V 75A 36mΩ N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：硅芯片采用直接铜键合（DCB）基板。 隔离安装表面。 2500V~电气隔离。 雪崩额定。 快速本征整流器。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。应用：DC-DC转换器。 电池充电器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFR90N30
- 商品编号
- C7431484
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 417W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 360nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 700pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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