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IXFH120N20P
200V、120A N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：国际标准封装。 雪崩额定。 快速本征二极管。 低Qg。 低RDS(on)。 低漏极到管壳电容。应用：DC-DC转换器。 电池充电器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFH120N20P
- 商品编号
- C7430190
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 714W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SOT-363塑封封装双N沟道MOS场效应管。 SOT-363塑封封装双N沟道MOS场效应管。
商品特性
~~- 灵敏的栅极触发电流和很低的维持电流-内置静电保护二极管-无卤产品-灵敏的栅极触发电流和很低的维持电流-内置静电保护二极管-无卤产品
应用领域
- 用作通用开关和相位控制-用于通用开关和相位控制应用
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