IXFH120N20P
200V、120A N沟道增强型功率MOSFET
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性:国际标准封装。 雪崩额定。 快速本征二极管。 低Qg。 低RDS(on)。 低漏极到管壳电容。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFH120N20P
- 商品编号
- C7430190
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 714W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 152nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
SOT-363塑封封装双N沟道MOS场效应管。 SOT-363塑封封装双N沟道MOS场效应管。
商品特性
-国际标准封装-雪崩额定-快速本征二极管-低栅极电荷(QG)-低导通电阻(Rds(ON))-低漏极到散热片电容-低封装电感-易于安装-节省空间
应用领域
-直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流和直流电机驱动器-不间断电源-高速功率开关应用
- IXFB44N100P
- INA241B2QDDFRQ1
- LM339BIPWR
- OPA593DNTR
- TMP1826DGKR
- TPS22995HQDDCRQ1
- INAEVM-ALT-SO8
- OPA2391YBJR
- TPS72715DSEEVM-406
- SKY-2316-1232-60P15
- SKY-2310-1232-60P15
- SUN-1295Y-2423-45P7.6
- SMD-8504-3627-16Ω
- 1206USB-113MLC
- 1EDI60I12AHXUMA1
- SI7478DP-T1-GE3-VB
- HX FPC 0.5-4P LTH2.0
- HX FPC 0.5-6P LTH2.0
- HX FPC 0.5-8P LTH2.0
- HX FPC 0.5-10P LTH2.0
- HX FPC 0.5-14P LTH2.0


