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FDN86246
1个N沟道 耐压:150V 电流:1.8A
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- 描述
- 200V高耐压
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FDN86246
- 商品编号
- C7421706
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 小封装
- 低导通电阻 Q1:RDS(ON) = 0.7Ω（最大值）(@VGS = 10V)
- Q2:RDS(ON) = 2.7Ω（最大值）(@VGS = -10V)
应用领域
- 高速开关应用