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NIF5002NT1G
1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NIF5002NT1G
- 商品编号
- C7421710
- 商品封装
- SOT-223-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 979pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NIF5002NT1G采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 5A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 35 mΩ（典型值26 mΩ）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 45 mΩ（典型值32 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 散热性能良好的出色封装
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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