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IRLB8743PBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:140A
- 描述
- 应用于电脑、DC/DC转换器的电源管理等等。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRLB8743PBF
- 商品编号
- C7421712
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7955克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V,38.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
商品特性
- 漏源击穿电压（VDSS） = -60 V
- 漏极电流（ID） = -0.17 A
- 栅源电压（VGS）为 -10 V 时，导通电阻（RDS(on)）< 8 Ω
- 栅源电压（VGS）为 -4.5 V 时，导通电阻（RDS(on)）< 10 Ω
- 沟槽型低压功率 MOSFET 技术
- 低导通电阻（RDS(ON)）
- 低栅极电荷
应用领域
- 视频监视器-负载开关-电源管理