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SI7884BDP-T1-GE3-JSM
1个N沟道 耐压:40V 电流:90A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SI7884BDP-T1-GE3-JSM
- 商品编号
- C7421711
- 商品封装
- DFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.58nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40 V，漏极电流（ID） = 90 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，导通状态下的漏源电阻（RDS(ON)） < 5.5 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通状态下的漏源电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好
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