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NTF2955T1G
1个P沟道 耐压:60V 电流:4.3A
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- 描述
- 应用于便携式设备负载开关。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NTF2955T1G
- 商品编号
- C7421709
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1944克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 低RDS(ON)-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- VDS = -20V，ID = -4.0A
- RDS(ON) = 29 mΩ（典型值）@ VGS = -4.5V
- 100%进行了UIS测试
- 100%进行了Rg测试
应用领域
- 负载开关-脉宽调制(PWM)
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