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NTF2955T1G
1个P沟道 耐压:60V 电流:4.3A
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- 描述
- 应用于便携式设备负载开关。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NTF2955T1G
- 商品编号
- C7421709
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1944克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NTF2955T1G采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -60V,ID = -4.3A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 120 mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 170 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
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