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2N7002W
N沟道,电流:115mA,耐压:60V
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- 描述
- 特性：VDS = 60V。 I0 = 115mA。 RDS(on)@VGS = 10V < 5.0Ω。 RDS(on)@VGS = 5.0V < 7.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- 2N7002W
- 商品编号
- C7420322
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V
- 漏极电流（ID） = 5.8 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(on)） < 35 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 40 mΩ
- 沟槽型低压功率MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理