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HL3401A
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：VDS = -30V。 ID = -4.2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 65mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 75mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 90mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL3401A
- 商品编号
- C7420349
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30 V
- 漏极电流(ID) = -4.2 A
- 栅源电压(VGS) = -10 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 65 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 75 mΩ
- 栅源电压(VGS) = -2.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 90 mΩ
- 沟槽型低压功率 MOSFET 技术
- 高速开关
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理