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BSS84
1个P沟道 耐压:60V 电流:170mA
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- 描述
- 特性：VDSS = -60V。 I0 = -0.17A。 RDS(on)@VGS = -10V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 10Ω。 沟槽功率低压MOSFET技术。 低RDS(ON)。应用：视频监视器。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- BSS84
- 商品编号
- C7420340
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3Ω@10V；3.5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 680mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.9pF |
商品特性
- 漏源击穿电压(VDSS) = -60 V
- 漏极电流(ID) = -0.17 A
- 栅源电压(VGS)为 -10 V 时,导通电阻(RDS(on))< 8 Ω
- 栅源电压(VGS)为 -4.5 V 时,导通电阻(RDS(on))< 10 Ω
- 沟槽型低压功率 MOSFET 技术
- 低导通电阻(RDS(ON))
- 低栅极电荷
应用领域
-视频监视器-负载开关-电源管理