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HL2300
N沟道,电流:4.5A,耐压:20V
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- 描述
- 特性：VDSS = 20V。 I₀ = 4.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL2300
- 商品编号
- C7420343
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.06nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 418pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
商品特性
- 漏源极击穿电压(VDSS) = 20 V
- 漏极电流(ID) = 4.5 A
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 25 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 2.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 32 mΩ
- 沟槽功率低压 MOSFET 技术
- 用于低导通电阻(RDS(ON))的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理