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HL3400A
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 特性：VDS = 30V。 ID = 5.8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 35mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 40mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL3400A
- 商品编号
- C7420348
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V
- 漏极电流(ID) = 5.8 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 35 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 40 mΩ
- 沟槽型低压功率MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理
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